散的同时，也进行干氧化，接着进行湿氧化预定时间（如20分钟），该二氧化硅层作为光刻n型区的掩蔽层。

如光刻出n型掺杂区，然后进行磷掺杂扩散，形成nos晶体管的源、漏区；

在磷扩散以后，进行湿氧化预定时间（如20分钟），该二氧化硅层用以制造栅氧化区的的掩蔽层；

光刻出晶体管的栅区，然后使用干氧化方法，生成设定厚度的栅二氧化硅层（如500纳米制程），”

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